详细介绍

产品介绍

BTE-PECVD是我公司研发的一款单温区的PECVD管式炉系统，它是由射频电源系统，加热系统、多通道质子混气系统和真空系统组成。此款PECVD系统对于生长纳米线、石墨烯或SiC薄膜是一个很好的实验帮手。

产品特点

1.该设备生长温度更低
2.使用滑轨炉实现快速升温和降温，沉积速率快
3.设备辉光均匀等效，均匀生长，成膜质量好
4.支持外部真空规和压力变送器
5.支持智能进气，根据需要设定不同的温度，自动进气，进气定时间到后自动停止进气
6.支持云端数据存储，随时查看数据
7.支持炉膛移动速度调节
8.支持射频电源根据外部工况条件自动启动停止
9.支持压力恒定，压力可以设定
10.支持超压保护，最大压力值可以设定，超过后系统自动进入保护状态
 

设备参数

 

型号	最高温度℃	炉膛尺寸mm	整机功率KW	射频电源	流量计	流量计
BTE-PECVD1200-Ⅰ	1200	80*2000	4	射频电源：300W	质子流量：3路	真空系统：TRP-12,3l/s真空测量：0.01Pa-200Kpa 系统真空度：5Pa
BTE-PECVD1200-Ⅱ	1200	80*2000	4		质子流量：3路
BTE-PECVD1200-Ⅲ	1200	80*2000	6	射频电源：500W	质子流量：4路

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